Силовые полупроводники служат основой электронных и электрических устройств и в основном состоят из дискретных компонентов, таких как FRD, MOSFET и IGBT. Современный технологический рубеж смещается в сторону широкозонных полупроводниковых материалов-полупроводниковых материалов-таких как SiC (карбид кремния) и GaN-на-Si (нитрид галлия на кремнии)-, которые могут значительно повысить частоту переключения устройств, устойчивость к напряжению и эффективность.
На системном уровне «интеллектуализация» электронных и электрических устройств опирается на передовые интегральные схемы и архитектуру программного обеспечения. К ним относятся интегральные схемы со смешанными-сигналами, способные поддерживать сложные функциональные возможности, а также технологии виртуализации многоядерных микроконтроллеров, специально разработанные для секторов с высокой-надежностью, таких как автомобильная промышленность. Соответствующие программные экосистемы соответствуют отраслевым стандартам,-таким как AUTOSAR CP (Classic Platform)-и предназначены для полной интеграции с POSIX-совместимыми-операционными системами реального времени (например, RT-Thread).
Для достижения более высокой плотности мощности, надежности и миниатюризации необходимы передовые технологии упаковки и интеграции. Например, технология упаковки модулей питания, встраиваемых в печатную плату, предполагает непосредственное встраивание силовых чипов в многослойную структуру печатной платы; этот подход радикально сокращает силовые контуры, снижает паразитную индуктивность (потенциально снижая ее до 25% от той, которая наблюдается в традиционных продуктах) и повышает термомеханическую надежность.
